半導體元件與內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及各自的制作方法
|
公開(公告)號
|
CN1971921A
|
|
公開(公告)日
|
2007.05.30
|
|
申請(專利)號
|
CN200510126854.5
|
|
申請日期
|
2005.11.24
|
|
專利名稱
|
半導體元件與內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及各自的制作方法
|
|
主分類號
|
H01L27/144(2006.01)I
|
|
分類號
|
H01L27/144(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
|
|
分案原申請?zhí)? |
|
|
優(yōu)先權(quán)
|
|
|
申請(專利權(quán))人
|
聯(lián)華電子股份有限公司
|
|
發(fā)明(設(shè)計)人
|
姜元升;陳炫旭
|
|
地址
|
中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)
|
|
頒證日
|
|
|
國際申請
|
|
|
進入國家日期
|
|
|
專利代理機構(gòu)
|
北京市柳沈律師事務(wù)所
|
|
代理人
|
陶鳳波;侯 宇
|
|
國省代碼
|
臺灣;TW
|
|
主權(quán)項
|
一種半導體元件，包括： 一基底，該基底具有一第一區(qū)域與一第二區(qū)域，其中該第二區(qū)域為一光感測區(qū)； 一晶體管，配置于該第一區(qū)域的該基底上； 一硬掩模層，配置于該第二區(qū)域的該基底上；以及 一抗反射層，配置于該硬掩模層與該基底之間。
|
|
摘要
|
一種半導體元件，此半導體元件包括一基底、一晶體管、一硬掩模層與一抗反射層�；拙哂械谝粎^(qū)域與第二區(qū)域，其中第二區(qū)域為光感測區(qū)。晶體管配置于第一區(qū)域的基底上。硬掩模層配置于第二區(qū)域的基底上�？狗瓷鋵优渲糜谟惭谀优c基底之間。
|
|
國際公布
|
|
...
