| 公開(公告)號 | CN1775209A |
| 公開(公告)日 | 2006.05.24 |
| 申請(專利)號 | CN200410090817.9 |
| 申請日期 | 2004.11.15 |
| 專利名稱 | 一種磁性靶向緩釋型卡托普利及其制備方法 |
| 主分類號 | A61K31/401(2006.01)I |
| 分類號 | A61K31/401(2006.01)I;A61K31/555(2006.01)I;A61K9/00(2006.01)I;A61P9/12(2006.01)I;A61P9/04(2006.01)I |
| 分案原申請?zhí)? | |
| 優(yōu)先權 | |
| 申請(專利權)人 | 北京化工大學 |
| 發(fā)明(設計)人 | 段 雪;張 慧;孫 輝 |
| 地址 | 100029北京市朝陽區(qū)北三環(huán)東路15號 |
| 頒證日 | |
| 國際申請 | |
| 進入國家日期 | |
| 專利代理機構 | 北京思海天達知識產權代理有限公司 |
| 代理人 | 何俊玲 |
| 國省代碼 | 北京;11 |
| 主權項 | 一種磁性靶向緩釋型卡托普利，其化學式為： (M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cpl-)a(Cpl2-)b(Bn-)c·mH2O/(MP)y 其中M2+是二價金屬離子Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任何一種；M3+是三價金屬離子Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任何一種； Cpl-、Cpl2-分別代表層間一價、二價卡托普利陰離子； Bn-為荷電量為n的無機陰離子，Bn-可以不存在或為CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一種； 0.1＜X＜0.8；a、b、c分別為Cpl-、Cpl2-、Bn-的數(shù)量，且a+2×b+n×c＝X；m為結晶水數(shù)量，0.01＜m＜4； MP代表磁性物質MgFe2O4、NiFe2O4、CoFe2O4、ZnFe2O4、MnFe2O4或Fe3O4中的任何一種；y為MP的數(shù)量，0.001＜y＜1； 該磁性緩釋劑的比飽和磁化強度為1.0-6.0emu/g，粒度分布在20-200nm，磁性緩釋劑中卡托普利質量百分含量為10-50％；緩釋持效期是0.4-13h。 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種磁性靶向緩釋型卡托普利及其制備方法。本發(fā)明以尖晶石型鐵氧體及四氧化三鐵為磁性物種，陰離子層狀材料LDHs為主體，卡托普利為插層客體，通過自組裝實現(xiàn)了Cpl-LDHs/MP的結構設計。該磁性卡托普利緩釋劑為殼核型結構，即在磁性納米顆粒外包覆層狀材料Cpl-LDHs，比飽和磁化強度為1.0-6.0emu/g，其顆粒粒度分布在20-200nm。該磁性緩釋劑中卡托普利質量百分含量為10-50％；緩釋持效期可達到0.4h-13h。 |
| 國際公布 |
